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        AFM電磁學工作模式及對應探針型號

        發布時間:2022-12-14瀏覽:613

        AFM電磁學工作模式及對應探針型號


        PART.1

        Conductive AFM 導電原子力顯微鏡

        Conductive AFM (cAFM) — 導電原子力顯微鏡(CAFM)是一種源自接觸AFM的二次成像模式,它表征了中到低導電和半導體材料的導電率變化。CAFM的電流范圍為pA至μA。

        PART.2

        Tunneling AFM 峰值力隧穿原子力顯微鏡
        Tunneling AFM (TUNA) — 峰值力隧穿原子力顯微鏡(TUNA)的工作原理與導電AFM相似,但具有更高的靈敏度。TUNA表征了通過薄膜厚度的超低電流(80fA和120pA之間)。TUNA模式可以在成像或光譜模式下運行。

        PART.3

        Scanning Capacitance Microscopy 掃描電容顯微鏡
        Scanning Capacitance Microscopy (SCM) — 掃描電容顯微鏡(SCM)繪制了樣品表面(通常是摻雜半導體)上大多數載流子濃度(電子或空穴)的變化。SCM向樣本施加高頻(90 kHz)AC偏壓,并使用高頻(1 GHz)檢測器測量掃描樣本表面時的局部樣本電容變化。這些電容變化是半導體中多數載流子濃度的函數;因此,相對載流子濃度可以映射在1016–1021 cm-3的范圍內。

        Laser Diode Cross Section

        PART.4

        Piezo Response Microscopy 壓電力響應顯微鏡
        Piezo Response Microscopy (PFM) — 壓電力響應顯微鏡(PFM)是一種基于接觸模式的技術,可繪制樣品上的反向壓電效應。對樣品進行電刺激,并使用鎖定技術監測樣品的地形響應。振幅和相位信息揭示了關于樣品上極化的強度和方向的信息。

        PPLN PFM Data

        PART.5

        Electric Force Microscopy 靜電力顯微鏡
        Electric Force Microscopy (EFM) — 靜電力顯微鏡(EFM)通過導電探針測量樣品表面上方的電場梯度分布。表征樣品表面的靜電勢能,電荷分布及電荷運輸等。


        Carbon black particles, 3 mm scan size

        常用探針選型:

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